Chế độ đơn chết của chip Laser 700mW 850nm cho y sinh

Chế độ đơn chết của chip Laser 700mW 850nm cho y sinh

Mã hàng: LC850SE07
Gửi yêu cầu
Mô tả

Hàng Châu Brandnew Technology Co., Ltd. là một trong những nhà sản xuất hàng đầu của Trung Quốc và là nhà cung cấp hàng đầu về chế độ đơn khuôn chip laser 700mw 850nm tiên tiến cho y sinh. Vận hành một nhà máy hiện đại, chúng tôi chuyên về toàn bộ phạm vi sản xuất—từ chip hiệu suất cao, Giá đỡ TO/F/C, thanh COS và MCC cho đến các ngăn xếp mạnh mẽ và các giải pháp kết hợp-sợi tiên tiến.

 

Chế độ đơn khuôn chip laser 700mW 850nm cho y sinh

 

Đặc trưng:

  • Dải tần gần hồng ngoại 850nm, đầu ra chế độ đơn lên tới 700mW
  • Khuôn chip laser trần, linh hoạt cho việc lắp ráp tùy chỉnh của khách hàng
  • Chế độ-đơn thích hợp để tạo ra tia laser có thể điều chỉnh khoang bên ngoài

Ứng dụng:

  • Phát triển tia laser có thể điều chỉnh khoang bên ngoài được tích hợp với ống dẫn sóng-chế độ đơn
  • Nghiên cứu hình ảnh quang học y sinh, kích thích huỳnh quang và phân tích quang phổ
  • Phát triển nguyên mẫu hệ thống chụp cắt lớp kết hợp quang học (OCT)
  • Thử nghiệm quang phổ trong phòng thí nghiệm, quang học phi tuyến và nền tảng thí nghiệm quang điện tử
product-700-700

 

Khuôn trần laser chế độ đơn 700mW 850nm 700mW này mang lại hiệu suất chế độ đơn-tuyệt vời cho việc đóng gói tùy chỉnh và xây dựng hệ thống quang học. Nó đặc biệt có thể áp dụng để phát triển các tia laser có thể điều chỉnh khoang bên ngoài phù hợp với các ống dẫn sóng-chế độ đơn và được sử dụng rộng rãi trong hình ảnh y sinh, phân tích quang phổ và các dự án nghiên cứu khoa học khác.

 

Bảng dữ liệu

Mã hàng: LC850SE07

Quang học tối thiểu Tối đa Đơn vị
Bước sóng trung tâm 846 849 853 bước sóng
Công suất đầu ra   700   mW
Chế độ làm việc   CW    
Điều chế nguồn   100   %
Chiều rộng bộ phát   3   ừm
Chiều rộng chip   500   ừm
Chiều dài khoang 3995 4000 4005 ừm
Độ dày chip 110 130 150 ừm
Phân kỳ trục nhanh (FWHM) 15 17 19 Độ
Phân kỳ trục chậm (FWHM) 3 5 7 Độ
Băng thông quang phổ (FWHM)   2 3 bước sóng
Bước sóng xung 844 847 850  
Chế độ phân cực   TE    
Độ dốc hiệu quả 0.09 1.02 1.04 W/A
Điện        
Iop hiện tại đang hoạt động   0.9 1.0 A
Ngưỡng hiện tại thứ I   0.1 0.13 A
Điện áp hoạt động Vop   1.85 1.95 V
nhiệt        
Kiểm tra nhiệt độ   25   bằng cấp
Hệ số nhiệt độ bước sóng   0.28   nm/ độ

 

 

 

 

 

 

Chú phổ biến: Chế độ đơn chết chip laser 700mw 850nm dành cho nhà cung cấp y sinh, nhà sản xuất Trung Quốc, nhà máy, bán buôn, sản xuất tại Trung Quốc